埃因霍温-2021年7月5日-恩智浦半导体( NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克代码：NXPI)宣布氮化镓(GaN)技术集成到其多芯片模块平台中，即5G能效领域的重要行业里程碑。位于亚利桑那州的恩智浦GaN晶圆厂是美国最先进的专业生产射频功率放大器的晶圆厂，恩智浦率先推出5，基于公司对晶圆厂的大量投资G大规模MIMO射频解决方案。该解决方案与G相结合aN多芯片模块的高效性和紧凑性。
降低能耗是电信基础设施的主要目标，每一个效率都至关重要。G用于多芯片模块aN可在2.6 GHz将产品组合效率提高到频率 52%，比公司上一代模块高8个百分点。恩智浦在单个设备中使用专利组合LDMOS和GaN技术，进一步提高性能，可提供400 MHz宽带射频设计只能用一个功率放大器完成。
恩智浦小尺寸5G多芯片模块现在可以实现上述能效和宽带性能。新的产品组合将帮助射频开发人员减少基站射频单元的尺寸和重量，并帮助移动网络运营商减少蜂窝塔和屋顶部署5G成本。模块集成了多级发射链、50欧姆输入/输出匹配网络和Doherty设计，并且恩智浦现在使用其最新的SiGe该技术增加了偏置控制。这一新的集成步骤使得无需使用单独的模拟控制IC，可以更严格地监控和优化功率放大器的性能。
恩智浦执行副总裁兼无线电业务部总经理Paul Hart 说:恩智浦专门为5开发了G独特的基础设施技术工具箱，包括专有LDMOS、GaN和SiGe以及先进的包装和射频设计IP。这使得我们能够利用每个元件的优势，并以最优的方式将这些优势结合起来。
与上一代模块一样，新的器件均引脚兼容。射频工程师可以在多个频段和功率级扩展单个功率放大器设计，缩短设计周期时间，从而在全球加速推出5G。
供货时间
恩智浦新型5G多芯片模块将在第三季度提供样品，并在今年晚些时候开始大规模生产。恩智浦将推出基于这些产品的RapidRF前端(参考)设计系列射频模拟有助于加速5G系统设计。
恩智浦的5G接入边缘技术产品组合
恩智浦为加速5提供了强大的技术产品组合，从天线到处理器G部署，为基础设施、工业和汽车应用提供一流的性能和安全性。包括恩智浦的Airfast射频功率解决方案系列和Layerscape适用于无线数据链路、固定无线接入和小型基站设备。