电子元器件的封装形式按不同方式分类，都不一样，今天我们以一种概况的形式来讲述电子元器件封装形式 。

      以封装外形大体分为如下29种：

1、BGA（ballgridarray）球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体（PAC）。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP（四侧引脚扁平封装）小。

例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚（凸点）中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC（见OMPAC和GPAC）。

2、BQFP（quadflatpackagewithbumper）带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起（缓冲垫）以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右（见QFP）。

3、碰焊PGA（buttjointpingridarray）表面贴装型PGA的别称（见表面贴装型PGA）。

4、C-（ceramic）表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。

5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP（数字信号处理器）等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP-G（G即玻璃密封的意思）。

6、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装 EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、 0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。

7、CLCC（ceramicleadedchipcarrier）带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G（见QFJ）

8、COB（chiponboard板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。

9、DFP（dualflatpackage）双侧引脚扁平封装。是SOP的别称（见SOP）。以前曾有此称法，现在已基本上不用。

10、DIC（dualin-lineceramicpackage）陶瓷DIP（含玻璃密封）的别称（见DIP）。

11、DIL（dualin-line）DIP的别称（见DIP）。欧洲半导体厂家多用此名称。

12、DIP（dualin-linepackage）。双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和 slimDIP（窄体型DIP）。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip（见 cerdip）。

13、DSO（dualsmallout-lint）双侧引脚小外形封装。SOP的别称（见SOP）。部分半导体厂家采用此名称。

14、DICP（dualtapecarrierpackage）双侧引脚带载封装。TCP（带载封装）之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB（自动带载焊接）技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ（日本电子机械工业）会标准规定，将DICP命名为DTP。

15、DIP（dualtapecarrierpackage）同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名（见DTCP）。

16、FP（flatpackage）扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP（见QFP和SOP）的别称。部分半导体厂家采用此名称。

17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

18、FQFP（finepitchquadflatpackage）小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP（见QFP）。部分导导体厂家采用此名称。

19、CPAC（globetoppadarraycarrier）美国Motorola公司对BGA的别称（见BGA）。

20、CQFP（quadfiatpackagewithguardring）带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状（L形状）。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。

21、H-（withheatsink）表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。

22、pingridarray（surfacemounttype）表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有 1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多（250～528），是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

23、JLCC（J-leadedchipcarrier）J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称（见CLCC和QFJ）。部分半导体厂家采用的名称。

24、LCC（Leadlesschipcarrier）无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。

是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN-C（见QFN）。

25、LGA（landgridarray）触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点（1.27mm中心距）和447触点（2.54mm中心距）的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。

26、LOC（leadonchip）芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。

27、LQFP（lowprofilequadflatpackage）薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。

28、L-QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚（0.5mm中心距）和160引脚 （0.65mm中心距）的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。

29、MCM（multi-chipmodule）多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L，MCM-C和MCM-D三大类。

以封装材料来分，大体分为如下四种：

1、金属封装

金属封装始于三极管封装，后慢慢地应用于直插式扁平式封装，基本上乃是金属-玻璃组装工艺。由于该种封装尺寸严格、精度高、金属零件便于大量生产，故其价格低、性能优良、封装工艺容易灵活，被广泛应用于晶体管和混合集成电路如振荡器、放大器、鉴频器、交直流转换器、滤颇器、继电器等等产品上，现在及将来许多微型封装及多芯片模块(MCM)也采用此金属封装。金属封装的种类有光电器件封装包括带光窗型、带透镜型和带光纤型；分妒器件封装包括A型、B型和C型；混合电路封装包括双列直插型和扁平型；特殊器件封装包括矩正型、多层多窗型和无磁材料型。

2、陶瓷封装

早期的半导体封装多以陶瓷封装为主，伴随着半导体器件的高度集成化和高速化的发展，电子设备的小型化和价格的降低，陶瓷封装部分地被塑料封装代替，但陶瓷封装的许多用途仍具有不可替代的功能，特别是集成电路组件工作频率的提高，信号传送速度的加快和芯片功耗的增加，需要选择低电阻率的布线导体材料，低介电常数，高导电率的绝缘材料等。陶瓷封装的种类有DIP和SIP；对大规模集成电路封装包括PGA，PLCC，QFP和BGA。

3、金属一陶瓷封装

它是以传统多层陶瓷工艺为基础，以金属和陶瓷材料为框架而发展起来的。最大特征是高频特性好而噪音低而被用于微波功率器件，如微波毫米波二极管、微波低噪声三极管、微波毫米波功率三极管。正因如此，它对封装体积大的电参数如有线电感、引线电阻、输出电容、特性阻抗等要求苛刻，故其成品率比较低；同时它必须很好地解决多层陶瓷和金属材料的不同膨胀系数问题，这样才能保证其可靠性。金属一陶瓷封装的种类有分立器件封装包括同轴型和带线型；单片微波集成电路(MMIC)封装包括载体型、多层陶瓷型和金属框架一陶瓷绝缘型。

4、塑料封装

塑料封装由于其成本低廉、工艺简单，并适于大批量生产，因而具有极强的生命力，自诞生起发展得越来越快，在封装中所占的份额越来越大。目前塑料封装在全世界范围内占集成电路市场的95％以上。在消费类电路和器件基本上是塑料封装的天下；在工业类电路中所占的比例也很大，其封装形式种类也是最多。塑料封装的种类有分立器件封装，包括A型和F型；集成电路封装包括SOP、DIP、QFP和BGA等。

当然还有很多方式来概述电子元器件的封装形式，这里就不一一列举了。