MOS管最重要的参数莫过于电流和电压了，决定电流主要来自封装和芯片内阻Rds(on).下面从其中一个方面分析一下。

      MOSFET的最大载流能力受到2方面限制： 一方面是管芯限制，即silicon limit。由于通态电阻Rds(on)以及米勒电容引起的导通损耗和开关损耗，会带来功率损耗power loss，这些损耗就以大量发热的形式来释放，如果热量过高就会烧毁管芯。一般MOSFET的最高耐受结温视各厂家工艺的差异为155°C或者175°C。 另一方面就是封装限制，即package limit。我们知道封装承载着PCB与管芯的连接，那么在管芯的载流能力高到一定程度的时候就会受到封装中引线的限制——细细的铜丝在通过大电流时一样会发热，熔毁。不同的封装，package limit各不相同，甚至由于内连接技术的改进，package limit也会有所改进和优化。早先的封装中，管芯的各引脚均用细细的铜丝或者金丝引向封装的引脚，这种内连接工艺被成为wire-bone引线键合，因此package limit通常只有最高25A左右，不过所幸早年时MOSFET管芯的载流能力通常也不高。近十来年MOSFET技术飞速发展，Rds(on)已经突破mΩ极限，这些高性能MOSFET通常都使用DFN或者LFPAK来封装，通过厂家设计更大的clip-bond夹桥式内连接工艺，使得MOSFET的package limit均提高到了100A。 当然，厂家标的silicon limit通常都是理论数值，大的惊人，某些MOSFET会标到200多A，而受到热降额的影响通常顶级MOSFET的实用最大载流能力是远达不到package limit的。表现在厂家标识的Id-Tc降额曲线上，从坐标原点0°C/0A开始到远端，它是一条下降的曲线，然后在某电流值处画有一条平行于x轴（结温轴）虚线截断至y轴（电流轴），这就是package limit。如果这个厂家还算负责的话一般都会标出来，比如欧美系、日系的大厂一般都会标出来。 选型的时候要特别留意热降额参数，通常厂家会在pdf上标一个参考值，即Id=xx A(Ta=25°C，Vgs=xx V，f=xxx kHz，2oz的FR4板静风或者一定cfm风量配置xx cm2面积的散热片等)。注意Ta和Tc的不同，Ta是环境温度，Tc是结温，受到封装热阻的影响，静风测试条件下Tc=155°C或175°C是很容易达到的，pdf中标的Tc=100°C条件根本不值一提。 选型完毕最好自己建立一个热环境模型进行测试，以确定该MOSFET是否满足安全使用的要求。