HEXMOS与管芯构造 ， 为了增加水龙头的流量，水龙头能够将口径做得很大，这时分的水龙头一般称为“阀门”，当然也能够用多个小口径的水龙头来替代，只是工程上很少这样用。    

功率晶体管恰恰采用的是第二种办法，用无数个“小晶体管”构成更大功率的晶体管，假如是分立元件，这种办法—般称为“并联”，关于单个晶体管，这种办法称为“多（单）元集成”。    



 HEXMOS就是门前最主流的一种MOSFET“管芯单元”的规划方式(图1. 20)，专利是美国IR公司的。由于“管芯单元”的规划外形呈”Hcxagonal（六边形）而得名。    

图1. 20所示的是N沟道的HEXFET的构造表示图，图中也画出了电流的方向。由于MOSFET只能耐受比拟高的正向电压，多数MOSFET曾经内置了维护二极管，这就是体二极管。关于体二极管，在后续章节中还会有细致引见。    

需求阐明的是，这是一个3D构造，漏极和漏区在垂直方向。每一个六边形单元并不是一个“管芯单元”，而是多个“管芯单元”的排列组合。这一点从电子显微镜照片上能够更为分明地看到（图1. 21）。    

每一个并联的“小晶体管”称为“Cell”或者“Chip Cell"，普通中文材料都将其译为“元胞”，本书则将它们称为“管芯单元”，由于它们就是一个个完好的微型品体管。无论是小功率还是大功率晶体管，都包含不止一个这样的“管芯单元”，只是数量不同而已。    

最后封装在一同的“管芯唯元”的汇合，就是“管芯”。“管芯单元”在“管芯”上的排列办法与多个分立元件的晶体管并联排列办法有很大的不同，但是目的是相同的：优化电路规划，减少占板面积。关于“管芯”而言，是在尽量小的硅片上包容尽量多的“管芯单元”。  

虽然HEXFET是目前较为主流的规划构造，为很多第"方制造商所采用，但也不是独一的规划。