总体来讲,从耐压、电流能力看,可控硅目前仍然是最高的,在某些特定场合,仍 然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合,功率电子器件已越来越 多地使用 MOSFET 和 IGBT,特别是 IGBT 获得了更多的使用,开始全面取代可控硅来做为 新型的功率控制器件。
100-1000。饱和压降大,速度慢。下图虚线部 分即是达林顿管。
图1-1:达林顿管应用
实际比较常用的是达林顿模块,它把 GTR、续流二极管、辅助电路做到
一个模块内。在较早期的功率电子设备中,比较多地使用了这种器件。图 1-2 是这种器件的内部典型结构。
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图1-2:达林顿模块电路典型结构
两个二极管左侧是加速二极管,右侧为续流二极管。加速二极管的原理是引进了电 流串联正反馈,达到加速的目的。
这种器件的制造水平是 1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz 左右(参考)。
三. 可控硅 SCR
可控硅在大电流、高耐压场合还是必须的,但在常规工业控制的低压、中小电流控 制中,已逐步被新型器件取代。
目前的研制水平在 12KV/8000A 左右(参考)。
由于可控硅换流电路复杂,逐步开发了门极关断晶闸管GTO。制造水平达到 8KV/8KA,
频率为 1KHz左右。
无论是 SCR 还是 GTO,控制电路都过于复杂,特别是需要庞大的吸收电路。而且,
速度低,因此限制了它的应用范围拓宽。
集成门极换流晶闸管IGCT和MOS关断晶闸管之类的器件在控制门极前使用了MOS栅,
从而达到硬关断能力。
四. 功率 MOSFET
又叫功率场效应管或者功率场控晶体管。
其特点是驱动功率小,速度高,安全工作区宽。但高压时,导通电阻与电压的平方
成正比,因而提高耐压和降低高压阻抗困难。
适合低压 100V 以下,是比较理想的器件。
目前的研制水平在 1000V/65A 左右(参考)。商业化的产品达到 60V/200A/2MHz、 500V/50A/100KHz。是目前速度最快的功率器件。
五. IGBT
又叫绝缘栅双极型晶体管。
这种器件的特点是集 MOSFET 与 GTR 的优点于一身。输入阻抗高,速度快,热稳定性
好。通态电压低,耐压高,电流大。
目前这种器件的两个方向:一是朝大功率,二是朝高速度发展。大功率 IGBT 模块达 到 1200-1800A/1800-3300V 的水平(参考)。速度在中等电压区域(370-600V),可达 到 150-180KHz。
它的电流密度比 MOSFET 大,芯片面积只有 MOSFET 的 40%。但速度比 MOSFET 低。
尽管电力电子器件发展过程远比我们现在描述的复杂,但是 MOSFET 和 IGBT,特别 是 IGBT 已经成为现代功率电子器件的主流。因此,我们下面的重点也是这两种器件。
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