本发明涉及半导体芯片技术领域，具体涉及一种高可靠性玻璃钝化(GPP)芯片制备方法。

背景技术：

GPP(玻璃钝化)芯片是目前高新技术的主流。GPP工艺分为三种工艺实现方法：①刀刮法②光阻法③电泳法，然而这三种方法均有优缺点，刀刮法成本低但漏电不均匀；光阻法参数一致性虽较好但成本较高；电泳法一次性投资大，环保成本高，废弃物不易处理。

目前对半导体表面钝化的要求越来越高，GPP芯片应具备：1、良好的电气性能和可靠性，包括电阻率、介电强度、离子迁移率等，材料的引入不应给器件带来副作用；二是良好的化学稳定性，具有一定的抗化学腐蚀能力；三是可操作性，工艺简单、重复性好，能与器件制造工艺相容，材料的膨胀系数要与硅材料相一致或接近；四是经济性，可大批量生产，制造成本要低，有市场竞争力，材料和工艺有强大的生命力和开发潜力。然而现在市面上的方法制备的GPP芯片存在这样那样的问题，不能满足需要。
技术特征：

1.一种高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将扩散好的PN结硅片上涂上光刻胶；

2)采用HF:HNO3:HAC混合的腐蚀液进行腐蚀沟槽；

3)采用LPCVD生长方式在沟槽内进行掺氧掺氮；

4)刮涂玻璃粉，烧结玻璃；

5)在步骤4)烧结后采用PECVD生长软Si3N4；

6)进行二次光刻并镀Ni，然后镀Ni-Si合金，镀完Ni-Si合金后再次镀Ni；

7)测试；

8)背面激光划片。

2.如权利要求1所述的高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，所述步骤2)中HF:HNO3:HAC的体积比为0.8～1.2:0.8～1.2:1.8～2.2，所述HF、HNO3、HAC的质量分数浓度分别为40～45％、83～93％、33～45％。

3.如权利要求1所述的高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，所述步骤3)采用LPCVD生长方式在沟槽内进行掺氧掺氮的条件为650℃～750℃，

4.如权利要求1所述的高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，所述步骤4)在820℃～850℃，N2+O2条件下进行烧结玻璃。

5.如权利要求1所述的高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，所述步骤5)PECVD的工作条件为380℃～420℃，

6.如权利要求1所述的高可靠性GPP芯片制备方法，其特征在于，所述步骤6)中在580～620℃、N2+H2条件下镀Ni-Si合金。