三星电子公布了全球首款单芯片1TB UFS2.1闪存，该款嵌入式闪存标志着智能存储将迈入TB级别。

据三星官方介绍，该闪存是将16个堆叠的三星512千兆位(Gb)V-NAND闪存和新开发的专有闪存控制器组合在一起。

相比之前的512G版本，在相同封装尺寸内，1TB的 eUFS解决方案将容量提升了一倍，新的eUFS速度高达1000MB/s，随机读写分别为58000 IOPS和50000 IOPS，相比512GB提升38%。

同时这也意味着三星今年的旗舰机型上都将会有1TB存储的版本，最先搭载的应该就是即将亮相的三星GalaxyS10系列。