用于工业和汽车系统的先进SoC（片上系统）解决方案的功率预算不断增加。每个连续的SoC产品都增加了耗电设备并提高了数据处理速度。这些器件需要可靠的电源，包括0.8V的内核，1.2V和1.1V的DDR3和LPDDR4，以及5V，3.3V和1.8V的外设和辅助组件。此外，先进的SoC需要比传统PWM控制器和MOSFET所能提供的更高的性能。因此，必要的解决方案必须更紧凑，具有更高的电流能力，更高的效率，更重要的是，优异的EMI性能。这是我们的Power by Linear ™单片静音开关2降压调节器可满足先进SoC功率预算同时满足SoC尺寸和热约束的地方。
用于SoC的20V输入的20A解决方案
该LTC7150S提出了用于工业和汽车电源，高性能的吧。它具有高效率，小外形和低EMI。集成的高性能MOSFET和热管理功能可在高达20V的输入电压下实现高达20A的电流可靠连续传输，无需散热或气流，是工业，运输和汽车应用中SoC，FPGA，DSP，GPU和μP的理想选择。
<span]图1显示了采用1MHz时LTC7150S开关的SoC和CPU功耗的20A解决方案的1.2V输出。该电路可轻松修改，以适应其他输出组合，包括3.3V，1.8V，1.1V和0.6V，以利用LTC7150S的宽输入范围。LTC7150S具有输出电流能力，可用作第一级5V电源，随后可在各种输出端连接多个下游第二级开关或LDO稳压器。
图1.降压转换器的原理图和效率：20 A时12 V IN至1.2 V OUT
Silent Switcher 2具有出色的EMI性能
在高电流下通过EMI规则通常涉及复杂的设计和测试挑战，包括在解决方案尺寸，效率，可靠性和复杂性方面的许多权衡。传统方法通过减慢MOSFET开关边沿速率和/或降低开关频率来控制EMI。这两种策略都需要权衡，例如效率降低，最小开启和关闭时间增加以及解决方案规模更大。替代的缓解技术，例如复杂的大型EMI滤波器或金属屏蔽，会增加电路板空间，元件和组件的成本，同时使热管理和测试复杂化。
<figure]ADI公司专有的Silent Switcher 2架构通过集成热回路电容自动抵消EMI，最大限度地减少了噪声天线尺寸。与集成MOSFET相结合，即使在非常快的开关边沿，也可显着降低热环中存储的开关节点振铃和相关能量。结果是出色的EMI性能，同时最大限度地降低了AC开关损耗。LTC7150S中集成了Silent Switcher 2，可最大限度地降低EMI并提供高效率，极大地简化了EMI滤波器的设计和布局，是噪声敏感环境的理想选择。LTC7150S通过CISPR22 / 32传导和辐射EMI峰值限制，前面只有一个简单的EMI滤波器。图3显示了辐射EMI CISPR 22测试结果。
图3.图2的辐射EMI性能。
高频率，高效率适合狭小空间
集成MOSFET，集成热环去耦电容，内置补偿电路]凭借高性能电源转换，LTC7150S可提供高电流，而无需额外的散热片或气流。与大多数解决方案不同，可以在高频操作下实现低EMI和高效率，确保小的无源元件尺寸。图4显示了一个2MHz的解决方案，该解决方案采用小型72nH电感器和所有陶瓷电容器，采用非常薄的解决方案，适用于FPGA和μP应用。
图4. LTC7150S原理图和热图像，用于5 V输入至0.85 V / 20 A输出，f SW = 2 MHz。
结论
工业和汽车环境中对更多智能，自动化和传感的需求导致电子系统的激增，这需要越来越高性能的电源。除了解决方案尺寸，高效率，热效率，稳健性和易用性之外，低EMI已经从事后的想法提升到关键的电源要求。LTC7150S采用Silent Switcher 2技术，在紧凑的尺寸内满足严格的EMI要求。集成的MOSFET和热管理功能可实现从输入范围高达20V的连续高达20A的稳定可靠输出电流，开关频率范围高达3MHz。
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