国际半导体产业协会(SEMI)12月18日指出，2018年全球晶圆厂设备投资金额将由8月时预测的成长14%、下修至成长10%，明(2019)年投资金额将从原先预测的成长7%、下修至衰退8%；记忆体价格下跌和美中贸易战的影响使公司改变投资计划，为晶圆厂资本投资快速下滑的两大主因。

SEMI 公布“全球晶圆厂预测报告”指出，甫进入2018 年时，原预估全球半导体晶圆厂设备市场将延续罕见的4 年连续成长、直至明年，但今年8 月时SEMI 综合收集分析全球超过 400 间晶圆厂主要投资计划后，预估今年下半年到明年上半年，晶圆厂投资金额将呈下滑态势；然而，有鉴于近期的市场情势，下滑幅度恐将较原先的预期更剧烈；预估今年下半年及明年上半年晶圆设备销售金额将分别下滑13 和16 个百分点，直到明年下半年才可望出现转圜。

SEMI台湾区总裁曹世纶分析，记忆体价格下跌和美中贸易战导致公司投资计划改变，是晶圆厂资本投资快速下滑的两大主因，其中，以先进记忆体制造商、中国晶圆厂、28 纳米或以上成熟制程业者的资本支出缩减，对全球半导体设备市场的影响最大。

在记忆体部分，SEMI进一步指出，继今年年初NAND型快闪记忆体价格急速下滑后，动态随机存取记忆体( DRAM )价格也在第四季出现松动，连续两年的DRAM盛世恐将结束，而存货调整和中央处理器 ( CPU )的产量不足，将导致更剧烈的价格下滑。记忆体业者为快速反应市场情况而减少资本支出，暂缓已经订购的设备出货，预期NAND快闪记忆体相关投资甚至将出现两位数的衰退。

SEMI也修正了先前对记忆体资本支出成长3%的预测，预估明年整体记忆体资本支出将下滑19%，其中以DRAM下滑最剧烈，下滑幅度达23%，至于在3D NAND部分则将下滑13%。SEMI并指出，以地区来看，中国大陆和韩国是晶圆厂设备投资金额下滑幅度最大的两个地区。

不过，SEMI也表示，虽然大部分的记忆体厂皆计划减少资本投资，但美光为例外。明年美光预估将投资约105亿美元，较今年的82亿美元投资金额提高约28%，这笔投资主要用于扩张和升级既有厂房设施。

业界人士分析，整体全球半导体景气已自今年第3季高峰急转直下，三星最赚钱的记忆体需求也受到影响，并从第3季起紧急削减资本支出，其中记忆体减幅高达27％，且明年也可能延续保守的资本支出心态。台系DRAM大厂南亚科也宣布今年资本支出由原订240亿元，降至210亿元，降幅超过一成。

半导体设备厂强调，除了三星、南亚科外，SK海力士与美光的DRAM增产脚步也趋缓，这些厂商都是这两年半导体设备主要买家。从削减资本支出的动作来看，各厂似乎都担心美中贸易战干扰市场买气，藉由缩减资本支出，减缓DRAM与NAND Flash的跌势。

台积也下修今年资本支出为100亿到105亿美元，比原订的115亿至120亿美元，减少约一成；但台积电之前也在供应链管理论坛表示，未来几年的资本支出，仍会落在100亿至120亿美元。