晶体管工作原理

　　利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看下。下图中的S是指源极（Source），D是指漏极（Drain），G是栅极（Gate）。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。

　　源极和漏极之间是沟道，当没有对栅极（G）施加电压的时候，沟道中不会聚集有效的电荷，源极（S）和漏极（S）之间不会有有效电流产生，晶体管处于关闭状态。可以把这种关闭的状态解释为“0”。 当对栅极（G）施加电压的时候，沟道中会聚集有效的电荷，形成一条从源极（S）到漏极（D）导通的通道，晶体管处于开启状态，可以把这种状态解释为“1”。这样二进制的两个状态就由晶体管的开启和关闭状态表示出来了。

　　场效应晶体管工作原理

　　场效应晶体管，英语名称为Field Effect Transistor，简称为场效应管，是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道，接下来我们就以N沟道结型场效应管为例来对场效应管的工作原理进行说明。

　　对应于三极管的基极、集电极和发射极，场效应管分别是栅极、漏极和源极。在其栅-源间加负向电压、漏-源间加正向电压以保证场效应管可以正常工作。所加负向电压越大，在PN结处所形成的耗尽区越厚，导电沟道越窄，沟道电阻越大，漏极电流越小;反之，所加负向电压越小，在PN结处所形成的耗尽区越薄，导电沟道越厚，沟道电阻越小，漏极电流越大。由此通过控制栅-源间所加负向电压完成了对沟道电流的控制。