2N7002是一款N沟道小信号MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），封装为SOT-23。以下是2N7002的主要参数和应用：

参数：
1. 沟道类型：N沟道
2. 最大漏极-源极电压（VDS）：60V
3. 最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
4. 最大漏极电流（ID）：115mA（连续）
5. 最大栅极阈值电压（VGS(th)）：1V 至 2.5V
6. 最大漏极-源极导通电阻（RDS(on)）：5Ω（在VGS = 10V，ID = 50mA时）
7. 最大功耗（PD）：350mW
8. 工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

应用：
2N7002适用于各种低功率开关应用，如：

1. 开关电源：2N7002可用于开关电源的开关控制部分，提高电源转换效率。
2. 信号开关：2N7002可作为信号开关，用于控制数字信号或模拟信号的传输。
3. 逻辑电路：2N7002可用于实现数字逻辑功能，如与、或、非等逻辑门。
4. 负载驱动：2N7002可用于驱动小功率负载，如继电器、LED等。
5. 电平转换：2N7002可用于不同电平之间的信号转换，如将3.3V的信号转换为5V信号。

请注意，在使用2N7002时，务必确保电压、电流和温度等参数在规定范围内，以避免损坏器件或影响性能。

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