30---50MHZ 普遍是MOS 管高速开通关断引起

• 可以用增大MOS 驱动电阻；
• RCD 缓冲电路采用1N4007 慢管；
• VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决；
• 或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
• 在MOSFET 的D-S 脚并联一个小吸收电路；
• 在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE；
• 在变压器的输入电压脚加一个小电容；
• PCB 心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS 构成的电路环尽可能的小；
• 变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起

• 可以在整流管上串磁珠；
• 调整输出整流管的吸收电路参数；
• 可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；
• 也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。
• 增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

200MHZ 以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI 标准。