RY4927 双P管,低内阻,SOP封装MOS管,参数:-30V/-30V, 15MR内阻, SOP-8封装
RY4927结合了先进的沟道MOSFET技术和低电阻封装,以提供极低的Rds(on)。这种装置是负载开关和电池保护应用的理想选择。
漏源电压(Vdss):-30V 双P管
25°C 时电流-连续漏极:(Id)9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15mΩ@8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1000pF @ 15V
工作温度:-55°C ~ +150°C(TJ)
功率-最大值:2W
封装:8-SOIC
FET 类型:P-Channel
安装类型:表面贴装型
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