Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF

N沟道器件实现高功率密度

降低导通和开关损耗

提高能效

Vishay 推出采用薄型 PowerPAK 10 x 12 封装的新型第四代 600V EF系列快速体二极管MOSFET。

Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。

Vishay 提供丰富的 MOSFET 技术以支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种高科技系统。随着 SiHK045N60EF 的推出，以及其他第四代 600V EF 系列器件的发布，Vishay 可满足电源系统架构前两级提高能效和功率密度的要求——包括图腾柱无桥功率因数校正（PFC）以及其后的 DC/DC 转换器模块。典型应用包括边缘计算和数据存储、不间断电源、高强度放电（HID）灯和荧光灯镇流器照明、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动和电池充电器。

SiHK045N60EF 基于 Vishay 高能效E系列超结技术，10V 条件下典型导通电阻仅为 0.045Ω，比 PowerPAK 8 x 8 封装器件低 27%，从而提高了额定功率，支持 ≥ 3 kW 的各种应用，同时器件高度低至 2.3 mm，增加了功率密度。此外，MOSFET 超低栅极电荷降至 70 nC。器件的 FOM 为 3.15 Ω*nC，比同类中最接近的 MOSFET 竞品低 2.27 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源提高能效。器件满足服务器电源钛效率的特殊要求，或通信电源达到 98% 的峰值效率。

SiHK045N60EF 有效输出电容 Co（er） 和 Co（tr） 分别仅为 171 pf 和 1069 pF，可改善零电压开关（ZVS）拓扑结构开关性能，如 LLC 谐振转换器。器件的 Co（tr） 比同类中最接近的 MOSFET 竞品低 8.79 %，而其快速体二极管的 Qrr 低至 0.8 μC，有助于提高桥式拓扑结构的可靠性。此外，MOSFET 的 PowerPAK 10 x 12 封装具有任何表面贴装的出色热性能，最大结-壳热阻额定值为 0.45˚C/W。SiHK045N60EF 热阻抗比 PowerPAK 8 x 8 封装器件低 31%。

日前发布的 MOSFET 符合 RoHS 和 Vishay 绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式过压瞬变，并保证极限值 100% 通过 UIS 测试。